【最新】台积电与格芯专利诉讼和解双方全球专利交互授权
时间:2019-10-29 14:23:51 热度:37.1℃ 作者:网络
全球晶圆代工两强-台积电与格芯的专利诉讼之争,有了圆满落幕的好消息。
今日(10月29日),台积电与格芯(GlobalFoundries)共同宣布,撤销双方之间及与其客户相关的所有法律诉讼。随着台积电和格芯持续大幅投资半导体研究与开发,两家公司已就现有及未来10年将申请的半导体技术专利达成全球专利交互授权协议。
双方表示,此项协议将确保台积电及格芯的营运不受限制,双方客户并可持续获得两家公司各自完整的技术及服务。
格芯执行长Thomas Caulfield表示,我们很高兴能够很快地和台积电达成协议,此项协议、认可了双方知识产权的实力,使两家公司能够聚焦于创新,并为双方各自的全球客户提供更好的服务。同时,该协议也确保了格芯持续成长的能力,对于身为全球经济核心的半导体业而言,也有利整个产业的成功发展。
台积电副总经理暨法务长方淑华表示,半导体产业的竞争一直以来都相当激烈,驱使业者追求技术创新,以丰富全球数百万人的生活。而台积电已投入数百亿美元资金进行技术创新,以达今日的领导地位。此项协议是相当乐见的正面发展,使双方持续致力于满足客户的技术需求,维持创新活力,并使整个半导体产业更加蓬勃昌盛。
格芯是在2019年8月26日在美国及德国发起多项侵权官司,指控台积电侵犯其16项专利。在格芯发起侵权官司的同时,格芯也要求禁止台积电将侵权的半导体产品出口到美国和德国,这表示使用这些产品的台积电客户将会受到影响。
此外,由于台积电侵权的半导体产品销售额可能高达数百亿美元,使得格芯也寻求台积电的巨额赔偿。
而面对格芯所提起的专利诉讼,台积电也在10月1日进行反击,分别在美国、德国及新加坡三地控告格芯侵犯的25项专利涉及鳍式场效电晶体(FinFET)设计、浅沟槽隔离技术、双重曝光方法、先进密封环及闸极结构,以及创新的接触蚀刻停止层设计,这些特定技术涵盖了成熟及先进半导体制程技术的核心功能。
来源:TechNews科技新报
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