原标题：三星官方宣布成功研发首款3nm GAAFET工艺芯片，功耗下降50％

1月6日消息，来自《韩国经济》杂志的报道，三星电子旗下的半导体部门已经成功研发了全球首款3nm工艺制程的芯片。

在目前市面上流通的电子设备芯片中，最先进的依然是采用的7nm EUV工艺，苹果、华为等手机厂商的手机芯片都采用了这一工艺。随着今年2月份采用5nm工艺制程的芯片即将上市，5nm工艺的芯片预计将会统治今明两年的高端芯片市场。

报道称，三星研发的全球首款3nm工艺制程芯片采用了全栅极（GAAFET）技术，而三星此前研发的5nm芯片则采用了FinFET工艺，相比5nm，3nm工艺芯片的总硅片面积减少了35％，功耗降低了50％，性能提高30％。

在去年的12月底，据彭博社消息，三星电子计划投资1160亿美元进行芯片产业升级，投资半导体小型化，一种被称为极紫外光刻（EUV）的工艺。这是三星迄今为止尝试过的最昂贵的制造业升级。